IRFR8314TRPBF

Symbol Micros: TIRFR8314
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Trans MOSFET N-CH Si 30V 179A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,1mOhm
Max. Drainstrom: 179A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3,1mOhm
Max. Drainstrom: 179A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD