IRFR8314TR UMW

Symbol Micros: TIRFR8314 UMW

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,1mOhm; 179A; 125W; -55°C ~ 175°C Äquivalent: IRFR8314TRPBF; SP001565102;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,1mOhm
Max. Drainstrom:	179A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFR8314TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,8385	0,5559	0,4603	0,4147	0,3987

Widerstand im offenen Kanal:	3,1mOhm
Max. Drainstrom:	179A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7815	0,4899	0,4078	0,3623	0,3395

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7975	0,4990	0,4147	0,3691	0,3463

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6084	0,3805	0,3167	0,2825	0,2643