IRFR8314TR UMW
Symbol Micros:
TIRFR8314 UMW
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,1mOhm; 179A; 125W; -55°C ~ 175°C Äquivalent: IRFR8314TRPBF; SP001565102;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,1mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Max. Drainstrom: | 179A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | UMW |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,1mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Max. Drainstrom: | 179A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | UMW |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Ähnliche Produkte
Artikel auf Anfrage erhältlich
Hersteller:
JGSEMI
Hersteller-Teilenummer:
IRFR8314TRPBF RoHS
Gehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager
60 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,7988 | 0,5007 | 0,4169 | 0,3703 | 0,3470 |
Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
MOSLEADER
Hersteller-Teilenummer:
IRFR8314TRPBF-ML RoHS
Gehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,8151 | 0,5100 | 0,4239 | 0,3773 | 0,3540 |
Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
HXY MOSFET
Hersteller-Teilenummer:
IRFR8314PBF RoHS
Gehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,6218 | 0,3889 | 0,3237 | 0,2888 | 0,2702 |
Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole