IRFR9024N

Symbol Micros: TIRFR9024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 175 mOhm; 11A; 38W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9024NPBF; IRFR9026NTRPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NPBF-GURT; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5718 0,3622 0,2847 0,2597 0,2483
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
39800 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3505
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
300000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2538
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRLPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
950 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2827
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRLPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2536
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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