IRFR9120N
Symbol Micros:
TIRFR9120n
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 480 mOhm; 6,6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9120NPBF; IRFR9120NTRLPBF; IRFR9120NTRPBF; SP001578344; SP001576108; SP001557182;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 480mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 480mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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TO252 (DPACK) t/r
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