IRFR9120N
Symbol Micros:
TIRFR9120n
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 480 mOhm; 6,6A; 40W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9120NPBF; IRFR9120NTRLPBF; IRFR9120NTRPBF; SP001578344; SP001576108; SP001557182;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 480mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR9120NTRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 900+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7557 | 0,4770 | 0,3778 | 0,3377 | 0,3283 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR9120N RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
89 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7557 | 0,4794 | 0,3778 | 0,3448 | 0,3283 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR9120NTRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
4050 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3564 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR9120NTRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
48000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3283 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR9120NTRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
722000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3283 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 480mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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