IRFTS8342

Symbol Micros: TIRFTS8342

Gehäuse: TSOP06

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 29mOhm; 8,2A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFTS8342TRPBF; SP001552394;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	29mOhm
Max. Drainstrom:	8,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFTS8342TRPBF Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0956

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFTS8342TRPBF Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

219000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1017

Widerstand im offenen Kanal:	29mOhm
Max. Drainstrom:	8,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD