IRFTS8342

Symbol Micros: TIRFTS8342
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Gehäuse: TSOP06
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 29mOhm; 8,2A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFTS8342TRPBF; SP001552394;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 29mOhm
Max. Drainstrom: 8,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 29mOhm
Max. Drainstrom: 8,2A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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