IRFZ34NS
Symbol Micros:
TIRFZ34ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ34NSTRLPBF; IRFZ34NSPBF; IRFZ34NSTRRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1300 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4315 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ34NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
36800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3002 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 68W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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