IRFZ48N

Symbol Micros: TIRFZ48n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48NPBF; IRFZ 48N PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ48N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9811 0,7206 0,5774 0,4953 0,4671
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Standard-Verpackung:
50/700
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 64A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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