IRFZ48N
Symbol Micros:
TIRFZ48n
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ48NPBF; IRFZ 48N PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 64A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFZ48N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
190 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9783 | 0,7185 | 0,5757 | 0,4938 | 0,4657 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1300 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4657 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4950 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4657 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFZ48NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6468 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 64A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Auf Lager
125 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,6413 | 0,4049 | 0,3206 | 0,2925 | 0,2785 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
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