IRL540

Symbol Micros: TIRL540pbf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL540PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Siliconix
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole