IRLB4030

Name: TIRLB4030 TIRLB4030
Brand: Infineon
SKU: TIRLB4030
Price: 1.2209 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLB4030

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB4030PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	16V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	45+	135+
Nettopreis (EUR)	1,8325	1,5325	1,3594	1,2555	1,2209

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,8100

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

5500 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,3695

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

49760 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,4039

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT