IRLB4030

Symbol Micros: TIRLB4030
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB4030PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 45+ 135+
Nettopreis (EUR) 1,8687 1,5628 1,3862 1,2803 1,2450
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Standard-Verpackung:
45
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,6868
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4210 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2450
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 370W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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