IRLB4030

Name: TIRLB4030 TIRLB4030
Brand: Infineon
SKU: TIRLB4030
Price: 2.1724 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLB4030

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLB4030PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	45+	135+
Nettopreis (EUR)	3,3661	2,7917	2,4513	2,2457	2,1724

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

230 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1724

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLB4030PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

13783 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1724

Widerstand im offenen Kanal:	4,5mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	370W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT