IRLL014TRPBF

Symbol Micros: TIRLL014
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 2,7A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD