IRLL014TRPBF
 Symbol Micros:
 
 TIRLL014 
 
  
 
 
 
 
 Gehäuse: SOT223
 
 
 
 N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 2,7A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; 
 
 
 
 Parameter 
 
 	
		
											
 
 
 
 | Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 2,7A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W | 
| Gehäuse: | SOT223 | 
| Hersteller: | VISHAY | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V | 
| Transistor-Typ: | N-MOSFET | 
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm | 
| Max. Drainstrom: | 2,7A | 
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,1W | 
| Gehäuse: | SOT223 | 
| Hersteller: | VISHAY | 
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V | 
| Transistor-Typ: | N-MOSFET | 
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V | 
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C | 
| Montage: | SMD | 
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