IRLL110

Name: TIRLL110 TIRLL110
Brand: -
SKU: TIRLL110
Price: 0.1995 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLL110

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	760mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4577	0,2535	0,2005	0,1892	0,1831

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5000	0,2770	0,2185	0,2061	0,1995

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

62500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2354

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

3400 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2160

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

45000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1995

Widerstand im offenen Kanal:	760mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4483	0,2488	0,1967	0,1854	0,1796