IRLL110

Symbol Micros: TIRLL110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 760 mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRLL110TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7840 0,4914 0,4091 0,3634 0,3406
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 3,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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