IRLL110TR UMW

Symbol Micros: TIRLL110 UMW

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 76mOhm; 1,5A; 3,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLL110PBF; IRLL110TRPBF; IRLL110TRPBF-BE3

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	76mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	10V

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLL110TR RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3716	0,2446	0,1756	0,1505	0,1431

Widerstand im offenen Kanal:	76mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD