Widerstand im offenen Kanal:
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135mOhm |
Max. Drainstrom:
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3,7A |
Maximaler Leistungsverlust:
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1,3W |
Gehäuse:
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SOT23 |
Hersteller:
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INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung:
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20V |
Transistor-Typ:
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P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung:
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12V |
Betriebstemperatur (Bereich):
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-55°C ~ 150°C |
Montage:
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SMD |
Ausführliche Beschreibung
P-Kanal MOSFET Transistor IRLML6402TRPBF
Der IRLML6402TRPBF (Micros-Bezeichnung: TIRLML6402) ist ein hochwertiger P-Kanal MOSFET-Transistor von Infineon. Das Bauteil verfügt über ein robustes Design im kompakten SOT23-SMD-Gehäuse, was eine Miniaturisierung von Schaltungen sowie eine effiziente Wärmeableitung ermöglicht. Aufgrund seiner Parameter eignet er sich ideal für Anwendungen, bei denen ein schnelles Schalten von Signalen in Niederspannungs- und Mittelspannungs-Schaltungen erforderlich ist.
Wichtige Merkmale und Spezifikationen des IRLML6402TRPBF Transistors
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Typ: P-Kanal MOSFET
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Maximale Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V
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Maximaler Drain-Strom (Id): 3,7A
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Durchlasswiderstand (Rds(on)): 135 mΩ
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Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 12V
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Gehäuse: SOT23
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Maximale Verlustleistung (Pd): 1,3W
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Hersteller: Infineon
Typische Anwendungen des IRLML6402TRPBF Transistors
Dieser Transistor eignet sich für den Einsatz in:
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Steuerschaltungen – z. B. in Energiemanagementsystemen für Laptops und tragbare Geräte;
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Ladegeräten und DC/DC-Wandlern – als Schaltelement in effizienten Stromversorgungen;
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Motorsteuerungen – in H-Brücken und anderen Niedrigleistungs-Motorcontrollern;
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Unterhaltungselektronik – Anwendungen, bei denen Miniaturisierung und geringer Widerstand entscheidend sind.
Wir empfehlen Ihnen, das vollständige Datenblatt auf der Website des Herstellers einzusehen und unser Angebot für dieses sowie weitere elektronische Bauteile zu nutzen. Bei Fragen steht Ihnen unser technisches Team gerne zur Verfügung.