IRLML6402 HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRLML6402 HXY
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402GTRPBF; SP001552740; SP001578888;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 95mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 95mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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