IRLR120N smd

Symbol Micros: TIRLR120n

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 100V; 16V; 265 mOhm; 10A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR120NTRPBF; IRLR120NPBF; IRLR120NPBF-GURT; IRLR120NTRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)

Auf Lager:

1296 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9233	0,5839	0,4605	0,4201	0,4011

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRL RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9233	0,5839	0,4605	0,4201	0,4011

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2872	0,1533	0,1194	0,1089	0,1044

Anzahl Stück	3+	10+	50+	205+	820+
Nettopreis (EUR)	0,2611	0,1659	0,1161	0,1006	0,0947

Anzahl Stück	3+	10+	50+	295+	1475+
Nettopreis (EUR)	0,2611	0,1666	0,1173	0,0997	0,0947