IRLR120NTRPBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLR120n CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 36W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRPBF-CN RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
295 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 295+ 1475+
Nettopreis (EUR) 0,2593 0,1655 0,1165 0,0990 0,0941
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Standard-Verpackung:
295
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRPBF-CN RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
205 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 205+ 820+
Nettopreis (EUR) 0,2593 0,1648 0,1153 0,1000 0,0941
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Standard-Verpackung:
205
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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