IRLR120NTRPBF-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TIRLR120n CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 36W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRPBF-CN RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2513 0,1330 0,1030 0,0953 0,0911
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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