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IRLR120NTRPBF HXY MOSFET

Name: TIRLR120n HXY TIRLR120n HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRLR120nHXY
Price: 0.1826 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLR120n HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR120NPBF; IRLR120NTRLPBF; IRLR120NTRPBF; SP001577026; SP001568906; SP001574026;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	17W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLR120NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4578	0,2770	0,2127	0,1920	0,1826

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	17W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2841	0,1517	0,1181	0,1078	0,1033

Anzahl Stück	3+	10+	50+	205+	820+
Nettopreis (EUR)	0,2582	0,1641	0,1148	0,0995	0,0937

Anzahl Stück	3+	10+	50+	295+	1475+
Nettopreis (EUR)	0,2582	0,1648	0,1160	0,0986	0,0937

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9132	0,5775	0,4554	0,4155	0,3967

IRLR120NTRPBF HXY MOSFET

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