IRLR2905TR JSMICRO

Symbol Micros: TIRLR2905 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5260 0,3185 0,2453 0,2206 0,2099
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 17mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole