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IRLR2905 UMW

Symbol Micros: TIRLR2905 UMW

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	55W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

270 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4916	0,2954	0,2257	0,2031	0,1962

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	40mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	55W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9209	0,6116	0,5078	0,4570	0,4385

Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,4131	0,2296	0,1812	0,1659	0,1593

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4339	0,2631	0,2017	0,1819	0,1731

IRLR2905 UMW

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