IRLR2905 UMW

Symbol Micros: TIRLR2905 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Max. Drainstrom: 30A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,4970 0,2987 0,2282 0,2053 0,1983
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4970 0,2987 0,2282 0,2053 0,1951
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 55W
Max. Drainstrom: 30A
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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