IRLR2908TRPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRLR2908 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 23mOhm; 50A; 70W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRLR2908PBF; IRLR2908TRPBF; SP001567410; SP001553170
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRLR2908TRPBF-ML RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6807 0,4309 0,3392 0,3094 0,2956
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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