IRLR8726TRPBF

Symbol Micros: TIRLR8726
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
15175 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4444 0,2704 0,2074 0,1872 0,1780
Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 86A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD