IRLR8726TRPBF
Symbol Micros:
TIRLR8726
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 86A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
15175 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4444 | 0,2704 | 0,2074 | 0,1872 | 0,1780 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 86A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 75W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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