IRLR8726TRPBF

Name: TIRLR8726 TIRLR8726
Brand: Infineon
SKU: TIRLR8726
Price: 0.1581 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLR8726

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	86A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

7700 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,4108	0,2278	0,1800	0,1634	0,1581

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r

Auf Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,4108	0,2278	0,1800	0,1634	0,1581

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

40000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2869

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8726TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

2650 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2352

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	86A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3047	0,1950	0,1371	0,1166	0,1108