IRLR8729

Symbol Micros: TIRLR8729

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11,9 mOhm; 58A; 55W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR8729PBF; IRLR8729PBF-GURT; IRLR8729TRLPBF; IRLR8729TRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11,9mOhm
Max. Drainstrom:	58A
Maximaler Leistungsverlust:	55W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8729TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6470	0,4085	0,3235	0,2952	0,2810

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8729TRLPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6470	0,4085	0,3235	0,2952	0,2810

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLR8729TRLPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r

Auf Lager:

1081 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6470	0,4085	0,3235	0,2952	0,2810

Widerstand im offenen Kanal:	11,9mOhm
Max. Drainstrom:	58A
Maximaler Leistungsverlust:	55W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	1200+
Nettopreis (EUR)	0,4676	0,2834	0,2177	0,1932	0,1866