IRLU 3114 Z PBF TO251

Symbol Micros: TIRLU3114z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
N-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 6,5 mOhm; 130A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLU3114ZPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRLU3114Z RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 150+
Nettopreis (EUR) 1,5787 1,1613 1,0121 0,9468 0,9281
Standard-Verpackung:
75/150
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 140W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: THT