IRLZ14
Symbol Micros:
TIRLZ14
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 280 mOhm; 10A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLZ14PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRLZ14 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6518 | 0,4085 | 0,3212 | 0,3023 | 0,2834 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRLZ14PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
650 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3878 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRLZ14PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7350 stk.
| Anzahl Stück | 450+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2834 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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