LGE2302

Symbol Micros: TLGE2302
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.35W; SOT23 LGE2302-LGE; TSM2302CX RFG; TSM2302CS RF;
Parameter
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: LGE2302 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1875 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1212 0,0556 0,0304 0,0226 0,0202
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Standard-Verpackung:
3000
Max. Drainstrom: 2,1A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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