TLP291 SOIC04 TLP291(TP,SE(T
Symbol Micros:
OOTLP291
Gehäuse: SOIC04
einzelner CTR 100-600 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV Transistor TLP291(E(O; TLP291-E-O; TLP291(TP,E(O; TLP291(GB,E(O; O; TLP291(GB-TP,E(O; O; GR,SE(T; TLP291-GR. SE-T; TLP291GB-TP.SE; CYTLP291(GB-TP.E-O);
Parameter
| Klickrate (CTR): | 100-600% |
| Gehäuse: | SOIC04 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 3750V |
| Ausgangsspannung [V]: | 80V |
Hersteller: Toshiba
Hersteller-Teilenummer: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS
Gehäuse: SOIC04t/r
Datenblatt
Auf Lager:
875 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3123 | 0,1676 | 0,1305 | 0,1182 | 0,1140 |
| Klickrate (CTR): | 100-600% |
| Gehäuse: | SOIC04 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 3750V |
| Ausgangsspannung [V]: | 80V |
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Auf Lager
1000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,2354 | 0,1289 | 0,0846 | 0,0730 | 0,0674 |
Standard-Verpackung: 1000
Menge (Vielfache 1)
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