TLP291 SOIC04    TLP291(TP,SE(T

Symbol Micros: OOTLP291
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC04
einzelner CTR 100-600 % Vce 80 V Uiso 3,75 kV Transistor TLP291(E(O; TLP291-E-O; TLP291(TP,E(O; TLP291(GB,E(O; O; TLP291(GB-TP,E(O; O; GR,SE(T; TLP291-GR. SE-T; TLP291GB-TP.SE; CYTLP291(GB-TP.E-O);
Parameter
Klickrate (CTR): 100-600%
Gehäuse: SOIC04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GR-TP,SE(T RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1400+
Nettopreis (EUR) 0,3413 0,2243 0,1610 0,1379 0,1313
Standard-Verpackung:
1400
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GB-TP,SE RoHS Gehäuse: SOIC04t/r Datenblatt
Auf Lager:
790 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1400+
Nettopreis (EUR) 0,3413 0,2243 0,1610 0,1379 0,1313
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GRH-TP,SE(T Gehäuse: SOIC04  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1313
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GB-TP,SE(T Gehäuse: SOIC04  
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1313
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TLP291(GR,SE(T Gehäuse: SOIC04  
Externes Lager:
4380 stk.
Anzahl Stück 2800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1313
Standard-Verpackung:
175
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-09-18
Anzahl Stück: 8375
Klickrate (CTR): 100-600%
Gehäuse: SOIC04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 80V