MJD122T4 smd

Symbol Micros: TMJD122t4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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darl.NPN 5A 100V 20W darl.NPN 5A 100V 20W
Parameter
Verlustleistung: 1,75W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD122T4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
2230 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8147 0,5171 0,4062 0,3707 0,3542
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Standard-Verpackung:
2500
Verlustleistung: 1,75W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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