MJD127T4G JSMICRO

Symbol Micros: TMJD127 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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PNP Darlington-Transistor; 12000; 20W; 100V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MJD127G; MJD127T4G; MJD127-TP;
Parameter
Verlustleistung: 20W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD127T4G-JSM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2782 0,1476 0,1143 0,1056 0,1011
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 20W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 12000
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP

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