MJD31CT4 STM
Symbol Micros:
TMJD31c STM
Gehäuse: TO252
Darl. NPN 3A 100V 15W Darl. NPN 3A 100V 15W
Parameter
| Verlustleistung: | 15W |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Gehäuse: | TO252 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5926 | 0,3724 | 0,2928 | 0,2670 | 0,2577 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
610000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2577 |
| Verlustleistung: | 15W |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Gehäuse: | TO252 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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