MJD31CT4 STM

Symbol Micros: TMJD31c STM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Darl. NPN 3A 100V 15W Darl. NPN 3A 100V 15W
Parameter
Verlustleistung: 15W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 15W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN