MJD45H11T4

Symbol Micros: TMJD45h11t4

Gehäuse: DPAK

Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

Parameter

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	DPAK
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

1280 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6981	0,4419	0,3479	0,3173	0,3032

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

152500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3032

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

230000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3032

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3032

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	DPAK
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP