MJD45H11T4

Symbol Micros: TMJD45h11t4

Gehäuse: DPAK

Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

Parameter

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	DPAK
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

1280 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5257	0,3192	0,2441	0,2208	0,2100

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

710000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2100

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	DPAK
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP