MJD45H11T4
Symbol Micros:
TMJD45h11t4
Gehäuse: DPAK
Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
| Verlustleistung: | 1,75W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | DPAK |
| Grenzfrequenz: | 90MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1280 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6991 | 0,4425 | 0,3484 | 0,3178 | 0,3036 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
160000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3036 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
220000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3036 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
20000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3036 |
| Verlustleistung: | 1,75W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | DPAK |
| Grenzfrequenz: | 90MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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