MJD45H11T4

Symbol Micros: TMJD45h11t4

Gehäuse: DPAK

Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

Parameter

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	DPAK
Stromverstärkungsfaktor:	60
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5827	0,3519	0,2704	0,2447	0,2326

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	DPAK
Stromverstärkungsfaktor:	60
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP