MJD45H11T4

Symbol Micros: TMJD45h11t4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,75W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: DPAK
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
1828 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5688 0,3435 0,2639 0,2389 0,2271
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Standard-Verpackung:
2500
Verlustleistung: 1,75W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: DPAK
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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