MJD45H11T4

Symbol Micros: TMJD45h11t4

Gehäuse: DPAK

Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK

Parameter

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz:	90MHz
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

1280 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6986	0,4422	0,3481	0,3175	0,3034

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3034

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

232500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3034

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11T4G Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

515000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3034

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz:	90MHz
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP