MJD47G

Symbol Micros: TMJD47
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK t/r
Transistor GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,56W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: DPAK t/r
Stromverstärkungsfaktor: 150
Grenzfrequenz: 10MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD47G RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5193 0,3139 0,2331 0,2149 0,2075
Standard-Verpackung:
75
Verlustleistung: 1,56W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: DPAK t/r
Stromverstärkungsfaktor: 150
Grenzfrequenz: 10MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN