MJD47G
Symbol Micros:
TMJD47
Gehäuse: DPAK t/r
Transistor GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
| Verlustleistung: | 1,56W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 150 |
| Gehäuse: | DPAK t/r |
| Grenzfrequenz: | 10MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 250V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: MJD47G RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5268 | 0,3184 | 0,2365 | 0,2180 | 0,2105 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD47T4
Gehäuse: DPAK t/r
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2105 |
| Verlustleistung: | 1,56W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 150 |
| Gehäuse: | DPAK t/r |
| Grenzfrequenz: | 10MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 250V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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