MJD47G
Symbol Micros:
TMJD47
Gehäuse: DPAK t/r
Transistor GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
Verlustleistung: | 1,56W |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 150 |
Grenzfrequenz: | 10MHz |
Gehäuse: | DPAK t/r |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 250V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD47G RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5300 | 0,3203 | 0,2379 | 0,2193 | 0,2118 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD47G
Gehäuse: DPAK t/r
Externes Lager:
750 stk.
Anzahl Stück | 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3294 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD47T4
Gehäuse: DPAK t/r
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2118 |
Verlustleistung: | 1,56W |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 150 |
Grenzfrequenz: | 10MHz |
Gehäuse: | DPAK t/r |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 250V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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