MJD47G

Symbol Micros: TMJD47
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK t/r
Transistor GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Transistor GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,56W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 150
Grenzfrequenz: 10MHz
Gehäuse: DPAK t/r
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD47G RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5300 0,3203 0,2379 0,2193 0,2118
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD47G Gehäuse: DPAK t/r  
Externes Lager:
750 stk.
Anzahl Stück 375+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3294
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD47T4 Gehäuse: DPAK t/r  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2118
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 1,56W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 150
Grenzfrequenz: 10MHz
Gehäuse: DPAK t/r
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 250V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN