MMBT2222AWT1G

Symbol Micros: TMMBT2222awt
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 600mA 40V 150mW 300MHz NPN 600mA 40V 150mW 300MHz
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222AWT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
4825 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1075 0,0493 0,0268 0,0201 0,0179
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222AWT1G Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
114000 stk.
Anzahl Stück 12000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0179
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2222AWT1G Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
57000 stk.
Anzahl Stück 36000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0179
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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