MMBT2369ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2369a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 120
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2369ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2250 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1204 0,0553 0,0302 0,0225 0,0201
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 120
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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