MMBT2369ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2369a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23 NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 120
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2369ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1192 0,0548 0,0299 0,0223 0,0199
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2369ALT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0199
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2369ALT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
39000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0208
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 120
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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