MMBT2907ALT1G

Symbol Micros: TMMBT2907alt1

Gehäuse: SOT23

Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	300
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907ALT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	9000+
Nettopreis (EUR)	0,1090	0,0435	0,0218	0,0174	0,0168

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907ALT3G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

190000 stk.

Anzahl Stück	50000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0168

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907ALT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

1446000 stk.

Anzahl Stück	15000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0168

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBT2907ALT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

666000 stk.

Anzahl Stück	48000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0168

Verlustleistung:	300mW
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	300
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	600mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	60V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0664	0,0255	0,0125	0,0099	0,0095