MMBT3906WT1G

Symbol Micros: TMMBT3906wt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
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Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3906WT1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2990 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0832 0,0329 0,0191 0,0140 0,0128
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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