MMBT3906WT1G

Symbol Micros: TMMBT3906wt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SC70-3
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBT3906WT1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2990 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0848 0,0335 0,0195 0,0143 0,0130
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SC70-3
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole