MMBT3906WT1G
Symbol Micros:
TMMBT3906wt1g
Gehäuse: SC70-3
Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 Transistor GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70
Parameter
Verlustleistung: | 150mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Gehäuse: | SC70-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906WT1G RoHS
Gehäuse: SC70-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2990 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0837 | 0,0331 | 0,0193 | 0,0141 | 0,0129 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906WT1G
Gehäuse: SC70-3
Externes Lager:
87000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0129 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906WT1G
Gehäuse: SC70-3
Externes Lager:
132000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0129 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBT3906WT1G
Gehäuse: SC70-3
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0129 |
Verlustleistung: | 150mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Gehäuse: | SC70-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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