NDT014L
Symbol Micros:
TNDT014L
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 360 mOhm; 2,8A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: NDT014L RoHS
Gehäuse: SOT223
Datenblatt
Auf Lager:
293 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 313+ | 1565+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3342 | 0,2203 | 0,1584 | 0,1353 | 0,1290 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: NDT014L
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3766 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 360mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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