NDT014L

Symbol Micros: TNDT014L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 360 mOhm; 2,8A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Max. Drainstrom: 2,8A
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDT014L RoHS Gehäuse: SOT223 Datenblatt
Auf Lager:
293 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 313+ 1565+
Nettopreis (EUR) 0,3270 0,2156 0,1550 0,1324 0,1262
Standard-Verpackung:
313
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NDT014L Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3755
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Max. Drainstrom: 2,8A
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD