NTD25P03LG HXY MOSFET

Symbol Micros: TNTD25P03 HXY
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 58mOhm; 20A; 29W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: NTD25P03LT4G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 58mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: NTD25P03LG RoHS 20P03. Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3803 0,2497 0,1787 0,1563 0,1465
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 58mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Max. Drainstrom: 20A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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