BT139-800E

Symbol Micros: TR016bt139-800e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Triac; Es = 16a; Vdrm = 800 V; IGT = 70 mA
Parameter
Gehäuse: TO220
Strom: 16A
Gatestrom: 70mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BT139-800E,127 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
28 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9699 0,7122 0,5716 0,4896 0,4615
Standard-Verpackung:
28
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BT139-800E,127 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
22 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9699 0,7122 0,5716 0,4896 0,4615
Standard-Verpackung:
22
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BT139-800E,127 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9699 0,7122 0,5716 0,4896 0,4615
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: WEEN Hersteller-Teilenummer: BT139-800E,127 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9699 0,7122 0,5716 0,4896 0,4615
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BT139-800E RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9699 0,7122 0,5716 0,4896 0,4615
Standard-Verpackung:
50
Gehäuse: TO220
Strom: 16A
Gatestrom: 70mA
Spannung: 800V
Typ des Thyristors: Triac