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SI2308BDS

Name: TSI2308bds c TSI2308bds c
Brand: TECH PUBLIC
SKU: TSI2308bdsc
Price: 0.0926 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSI2308bds c

Gehäuse: SOT23

Datenblatt

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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	105mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	105mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1467

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3434	0,1891	0,1487	0,1376	0,1320

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1659	0,0789	0,0443	0,0336	0,0302

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1070	0,0490	0,0267	0,0200	0,0178

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,0951	0,0376	0,0222	0,0163	0,0146

SI2308BDS

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