SI2308BDS

Symbol Micros: TSI2308bds c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Substitute: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: SI2308BDS RoHS E8. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
Nettopreis (EUR) 0,2587 0,1644 0,1190 0,1018 0,0938
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole