SI2333DS SOT23-3(T/R) TECH PUBLIC

Symbol Micros: TSI2333ds TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; SI2333DS-T1-GE3; SI2333DS-T1-GE3-VB; SI2333DS-T1-E3; SI2333DS-T1-E3-VB; SI2333DS-T1-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: SI2333DS RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2820 0,1371 0,0975 0,0846 0,0807
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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