SI4403BDY
Symbol Micros:
TSI4403bdy
Gehäuse: SOP08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 32mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,35W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI4403BDY RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5662 | 0,3148 | 0,2490 | 0,2340 | 0,2265 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SI4403BDY RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5333 | 0,3242 | 0,2490 | 0,2241 | 0,2133 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 32mOhm |
| Max. Drainstrom: | 7,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,35W |
| Gehäuse: | SOP08 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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