SI4403BDY

Symbol Micros: TSI4403bdy
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 7,3A; 1,35 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,35W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4403BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5474 0,3044 0,2408 0,2262 0,2190
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SI4403BDY RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5156 0,3135 0,2408 0,2167 0,2062
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 7,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,35W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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