SKG85G06A SHIKUES

Symbol Micros: TSKG85G06a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDFN08(6x5)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,5 mOhm; 130A; 105 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 105W
Gehäuse: PDFN08(5x5)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SKG85G06A RoHS Gehäuse: PDFN08(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0914 0,7268 0,5998 0,5410 0,5198
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: SHIKUES Hersteller-Teilenummer: SKG85G06A RoHS Gehäuse: PDFN08(6x5) Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0867 0,7974 0,6398 0,5480 0,5175
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 105W
Gehäuse: PDFN08(5x5)
Hersteller: SHIKUES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD