TSM2301CX-CN CHIPNOBO
Symbol Micros:
TTSM2301cx CNB
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 170mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: TSM2301CX RFG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 170mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | CHIPNOBO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 170mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | CHIPNOBO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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