TSM2301CX-CN CHIPNOBO

Symbol Micros: TTSM2301cx CNB
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 170mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: TSM2301CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer: TSM2301ACX-CN RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1049 0,0480 0,0261 0,0196 0,0175
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 170mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: CHIPNOBO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD