TSM2301CX RFG

Symbol Micros: TTSM2301cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 190 mOhm; 2,8A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Der Ersatz wird sein: TSM650P02CX;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Max. Drainstrom: 2,8A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2301ACX RFG RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
14 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3373 0,1859 0,1460 0,1354 0,1297
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Standard-Verpackung:
3000/12000/144000
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2301ACX RFG Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
54200 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1297
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-06-30
Anzahl Stück: 6000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-09-30
Anzahl Stück: 12000
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Max. Drainstrom: 2,8A
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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