SPW47N60C3

Name: TSPW47N60C3 TSPW47N60C3
Brand: Infineon
SKU: TSPW47N60C3
Price: 11.3480 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSPW47N60C3

Gehäuse: TO 3P

N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 160 mOhm; 47A; 415W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STW45NM60; SPW47N60C3FKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	47A
Maximaler Leistungsverlust:	415W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt

Auf Lager:

8 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	60+
Nettopreis (EUR)	12,7104	12,0643	11,6547	11,4370	11,3480

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

22 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	11,3480

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

60440 stk.

Anzahl Stück	240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	11,3480

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3FKSA1 Gehäuse: TO 3P

Externes Lager:

8998 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	11,3480

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	47A
Maximaler Leistungsverlust:	415W
Gehäuse:	TO 3P
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT