SPW47N60C3

Symbol Micros: TSPW47N60C3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 160 mOhm; 47A; 415W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STW45NM60; SPW47N60C3FKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 415W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 60+
Nettopreis (EUR) 11,7418 11,1457 10,7657 10,5662 10,4831
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 415W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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