SPW47N60C3
Symbol Micros:
TSPW47N60C3
Gehäuse: TO 3P
N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 160 mOhm; 47A; 415W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: STW45NM60; SPW47N60C3FKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 47A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 415W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 60+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 11,7070 | 11,1127 | 10,7338 | 10,5349 | 10,4520 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3FKSA1
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
12 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 10,4520 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: SPW47N60C3FKSA1
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
39070 stk.
| Anzahl Stück | 240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 10,4520 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 47A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 415W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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