SSM3J36FS,LF

Symbol Micros: TSSM3j36fs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 3,6 Ohm; 330mA; 150 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: SSM3J36FS,LF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2500+
Nettopreis (EUR) 0,2173 0,1201 0,0795 0,0663 0,0620
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Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 330mA
Maximaler Leistungsverlust: 150mW
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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