STD3NK60Z-1
Symbol Micros:
TSTD3NK60Z-1
Gehäuse: IPAK
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 3,6 Ohm; 2,4A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5283 | 0,3207 | 0,2382 | 0,2186 | 0,2111 |
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 25+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5283 | 0,3160 | 0,2641 | 0,2266 | 0,2111 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
34675 stk.
| Anzahl Stück | 525+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2486 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1
Gehäuse: IPAK
Externes Lager:
29235 stk.
| Anzahl Stück | 1725+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2111 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | IPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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