STD3NK60Z-1

Symbol Micros: TSTD3NK60Z-1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: IPAK
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 3,6 Ohm; 2,4A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5255 0,3190 0,2369 0,2175 0,2100
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 RoHS Gehäuse: IPAK Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5255 0,3143 0,2627 0,2254 0,2100
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD3NK60Z-1 Gehäuse: IPAK  
Externes Lager:
24435 stk.
Anzahl Stück 1725+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2100
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,6Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole