STD7NM60N

Name: TSTD7NM60N TSTD7NM60N
Brand: ST
SKU: TSTD7NM60N
Price: 0.6374 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTD7NM60N

Gehäuse: TO252 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 25V; 900 mOhm; 5A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	900mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	25V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD7NM60N RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

14 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2107	0,8475	0,7196	0,6579	0,6374

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD7NM60N RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2107	0,8475	0,7196	0,6579	0,6374

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STD7NM60N Gehäuse: TO252 (DPAK)

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6374

Widerstand im offenen Kanal:	900mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD