STD7NM60N

Symbol Micros: TSTD7NM60N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 900mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STD7NM60N RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
79 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,5200 3,0000 2,4900 2,2400 2,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 900mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD