STF3NK80Z
Symbol Micros:
TSTF3nk80z
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 4,5 Ohm; 2,5A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF3NK80Z RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,0109 | 0,7412 | 0,5934 | 0,5090 | 0,4808 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF3NK80Z
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
2721 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4808 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STF3NK80Z
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
7450 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4808 |
Widerstand im offenen Kanal: | 4,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 2,5A |
Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
Gehäuse: | TO220iso |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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